材料与研发

MATERIAL & R&D

材料与研发

基于已开展的样品加工与工艺实验,团队持续积累不同硬度、脆性、晶向和表面状态下的加工认知。

MATERIAL EXPERIENCE

从硅片出发
延伸至多材料晶片

基于已开展的样品加工与工艺实验,团队持续积累不同硬度、脆性、晶向和表面状态下的加工认知。除硅片再生外,可面向其他晶片开展可行性评估与工艺验证。

Si

硅片

再生 · 减薄 · 研磨 · 抛光 · 清洗

SiC

碳化硅

双面研磨 · 粗抛 · 精抛 · 工艺验证

III-V

化合物半导体

GaAs / InP晶片研磨与抛光验证

Al₂O₃

蓝宝石

精密研磨 · 抛光 · 表面改善

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先进材料

金刚石、CZT及其他硬脆材料探索

FROM INCOMING TO OUTGOING

从进厂到出厂
每一步都有判断依据

流程不是固定的直线。来料状态决定分支,量测结果决定下一步,质量门槛决定是否放行。

晶圆抛光设备运行现场
05 PRECISION POLISHING
  1. 01

    接收与分选

    核对规格、状态与客户要求,完成批次标识和异常隔离。

  2. 02

    预清洗与去膜

    针对残留、膜层与表面影响层选择相匹配的前处理路线。

  3. 03

    厚度与面型修复

    根据测量结果进行减薄、研磨或 TTV 修复。

  4. 04

    贴附与定位

    逐片确认位置、贴合状态与承载稳定性。

  5. 05

    精密抛光

    协同控制设备、耗材、压力、速度、时间和温度。

  6. 06

    剥离与终洗

    完成去蜡、RCA 清洗、冲洗与洁净干燥。

  7. 07

    检测与判定

    检查厚度、面型、外观和颗粒状态,记录批次结果。

  8. 08

    洁净包装

    复核产品与片盒,完成批次确认和出厂准备。

技术人员进行晶圆表面检测R&D / 01

FROM LAB TO PRODUCTION

把经验变成数据
把数据变成工艺窗口

工艺开发不是反复试错,而是以问题定义、变量控制和量测分析为核心的工程闭环。

  • 01不同清洗药液与顺序对颗粒表现的DOE验证
  • 02不同抛光液去除效率、均匀性与外观对比
  • 03压力、转速、时间与气囊分区的参数窗口研究
  • 04贴蜡、贴膜与承载方式对面型和破片风险的改善
  • 05硅、碳化硅、砷化镓、磷化铟与蓝宝石等材料试制
样品评估→DOE设计→量测分析→工艺固化